个人基本情况 |
1983年生,博士学位,工程师职称,信息与通信工程一级学科硕士学位授权点研究生导师,机械专业硕士学位授权点研究生导师。承担《有限元分析》、《机械制图与CAD》等课程教学。参与科技部国家重点研发计划等项目多项。在《Crystal Growth & Design》《Vacuum》等国际高水平期刊发表论文10余篇。 |
主要研究方向 |
半导体材料,传感器,纳米材料,纳米机械,微纳米力学 |
近年的主持或参与的科研项目 |
(1) 国家自然科学基金面上项目,11972221,应变和过渡金属掺杂对二氧化钒单晶阵列相转变和光学性能影响的研究, 2020-01至2023-12, 68万元, 在研, 骨干参与。 (2) 科技部国家重点研发计划, 2017YFA0204400, 新型纳米金属材料的构筑及使役行为研究, 2017-06至2022-6, 4460万元, 在研, 参与子课题“复相纳米合金的块体机械合金化制备”的研究。 (3) 国家自然科学基金面上项目, 11672175, 掺稀土锗锡合金膜应变状态的精确测定及其对光电性能的影响, 2017-01至2020-12, 88万元, 已结题, 骨干参与。 (4) 国家自然科学基金, 重点国际合作研究项目, 51520105001, 剧烈塑性变形制备纳米非晶合金材料及其原子结构的调控研究, 2016-01至2020-12, 245万元, 已结题, 参与。 (5) 2018/3-2019/5在江苏省钢铁(沙钢)研究院参与高强度桥梁缆索镀锌钢丝项目。研发出的SWRS82B-T盘条生产出的缆索钢丝已应用于平潭海峡公铁两用跨海大桥,已结题, 骨干参与。 (6) 2018/3-2019/5 参与《2017年国家智能制造新模式应用项目》——“高端线材全流程智能制造新模式应用项目”,项目经费3.9亿,已结题, 参与。 |
近年的主持或参与的教研项目 |
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近年的专著与论文、专利、获奖 |
(1) Z.S. Dong, C.W. Zhao*, J.J. Shen, Y.Z. Huang*, Direct evidence of the dynamic growth of nanotwinned Cu grain upon electron beam irradiation, Crystal Growth & Design 20 (2020) 6493-6501. (SCI) (2) Z.S. Dong, C.W. Zhao*, H. Jiang, J.J. Li, A dissociated 60° dislocation and its strain fields near a Ge/Si heterostructure interface. Physica B Condensed Matter 583 (2020) 412039. (SCI) (3) Z.S. Dong, J.T. Wang*, Experimental and molecular dynamics investigation of a sessile dislocation core structure in Au. Ferroelectrics 529 (2018) 43-48. (SCI) (4) Z.S. Dong, J.T. Wang* Experimental Comparison of Sessile and Glissile Dislocation Core Structures in Au. Chimica Oggi - Chemistry Today 36 (2018) 130-132. (5) Z.S. Dong*, Bonding quality detection of metal and nonmetallic materials based on wavelet feature extraction. Boletin Tecnico/Technical Bulletin 55 (2017) 291-299. (EI) (6) Z.S. Dong, C.W. Zhao*, Measurement of strain fields in an edge dislocation. Physica B Condensed Matter 405 (2010) 171-174. (SCI) (7) B.J. Xia, Z.S. Dong*, C.W. Zhao*, The effect of Er doping on the crystallization of GeSn thin films. Modern Physics Letters B (2021) 2150337. (SCI) (8) C.W. Zhao, Z.S. Dong*, J.J. Shen, The strain model of misfit dislocations at Ge/Si hetero-interface. Vacuum 196 (2021) 110711 (SCI) |